창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK4124-1E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SK4124 | |
PCN 단종/ EOL | EOL 21/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P-3L | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SK4124-1E | |
관련 링크 | 2SK412, 2SK4124-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
293D685X06R3B2TE3 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 3.4 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | 293D685X06R3B2TE3.pdf | ||
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![]() | AD260BND | AD260BND ORIGINAL DIP-22 | AD260BND .pdf | |
![]() | P4N266A CD | P4N266A CD VIA BGA | P4N266A CD.pdf |