홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » 2SK3816-DL-1E

ON Semiconductor 2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E
제조업체 부품 번호
2SK3816-DL-1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 40A
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SK3816-DL-1E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,363.02625
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SK3816-DL-1E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SK3816-DL-1E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SK3816-DL-1E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SK3816-DL-1E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SK3816-DL-1E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SK3816-DL-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK3816
PCN 조립/원산지Frabrication Site Change 27/Aug/2014
Wafer Fab Site Change 14/Oct/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs26m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs40nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1780pF @ 20V
전력 - 최대1.65W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263-2
표준 포장 800
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SK3816-DL-1E
관련 링크2SK3816, 2SK3816-DL-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SK3816-DL-1E 의 관련 제품
0.47µF 10V 세라믹 커패시터 X6S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) CGB2A1X6S1A474K033BC.pdf
10µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 64 mOhm Max Nonstandard 29L103C.pdf
RES SMD 1.82KOHM 0.5% 1/16W 0402 AT0402DRE071K82L.pdf
HC4049 MOTOROLA SOP HC4049.pdf
MAT10120 MicroMetrics SMD or Through Hole MAT10120.pdf
35CE22KX56.0 Sun SMD or Through Hole 35CE22KX56.0.pdf
2SC5504-5 ORIGINAL SMD or Through Hole 2SC5504-5.pdf
ERC81-004L Fuji SMD or Through Hole ERC81-004L.pdf
LT485 =4 LT SMD or Through Hole LT485 =4.pdf
RKBPC1004W WTE/ SMD or Through Hole RKBPC1004W.pdf
550-2207-100 DIALIGHT SMD or Through Hole 550-2207-100.pdf