홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » 2SK3816-DL-1E

ON Semiconductor 2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E
제조업체 부품 번호
2SK3816-DL-1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 40A
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SK3816-DL-1E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,363.02625
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SK3816-DL-1E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SK3816-DL-1E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SK3816-DL-1E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SK3816-DL-1E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SK3816-DL-1E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SK3816-DL-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK3816
PCN 조립/원산지Frabrication Site Change 27/Aug/2014
Wafer Fab Site Change 14/Oct/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs26m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs40nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1780pF @ 20V
전력 - 최대1.65W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263-2
표준 포장 800
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SK3816-DL-1E
관련 링크2SK3816, 2SK3816-DL-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SK3816-DL-1E 의 관련 제품
22µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 500 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) TH3E226M035C0500.pdf
RES SMD 16.2K OHM 0.1% 1/4W 1210 RT1210BRD0716K2L.pdf
RES SMD 137 OHM 1% 1/4W 0603 RCS0603137RFKEA.pdf
B1156 ORIGINAL TO-3P B1156.pdf
FR610 ORIGINAL SMD or Through Hole FR610.pdf
SA56004FDP PHILIPS SSOP-8 SA56004FDP.pdf
LP2902DE4 TI SOIC LP2902DE4.pdf
2SK3936 # TOSHIBA TO-3P(N) 2SK3936 #.pdf
1001101JW 150 XT ATC SMD or Through Hole 1001101JW 150 XT.pdf
GRM15X5C1H120JDB4 MURATA SMD GRM15X5C1H120JDB4.pdf
R-726.5P RECOM SMD or Through Hole R-726.5P.pdf
BCM7040KQL. BCM TQFP BCM7040KQL..pdf