홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 접합형 전계 효과(JFET) » 2SK3666-4-TB-E

ON Semiconductor 2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E
제조업체 부품 번호
2SK3666-4-TB-E
제조업 자
제품 카테고리
접합형 전계 효과(JFET)
간단한 설명
JFET N-CH 30V 0.2W CP
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SK3666-4-TB-E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 121.82233
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SK3666-4-TB-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SK3666-4-TB-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SK3666-4-TB-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SK3666-4-TB-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SK3666-4-TB-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SK3666-4-TB-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK3666
종류이산 소자 반도체 제품
제품군접합형 전계 효과(JFET)
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형N채널
전압 - 항복(V(BR)GSS)30V
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0)2.5mA @ 10V
전류 드레인(Id) - 최대10mA
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id180mV @ 1µA
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4pF @ 10V
저항 - RDS(On)200옴
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지3-CP
전력 - 최대200mW
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SK3666-4-TB-E
관련 링크2SK3666-, 2SK3666-4-TB-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SK3666-4-TB-E 의 관련 제품
47µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C 860131280009.pdf
RES SMD 97.6 OHM 1W 1206 WIDE PRG3216P-97R6-B-T5.pdf
RES 750K OHM 1/4W 1% AXIAL CMF50750K00FKEK.pdf
MQ15A125VTR BELFUSE SMD or Through Hole MQ15A125VTR.pdf
ALJ112-12V NAIS RO ALJ112-12V.pdf
D226 ORIGINAL QFN D226.pdf
RB-0305S RECOM SMD or Through Hole RB-0305S.pdf
ZMY91-13 ITT LL41 ZMY91-13.pdf
2SD965(D965Q) KEXIN SOT89 2SD965(D965Q).pdf
MLG0603S30NHT TDK SMD or Through Hole MLG0603S30NHT.pdf
MK48H64S120 GAE SMD or Through Hole MK48H64S120.pdf