ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E
- 제조업체 부품 번호
- 2SK3666-3-TB-E
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 접합형 전계 효과(JFET)
- 간단한 설명
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
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2SK3666-3-TB-E 가격 및 조달
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20550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 69.11005
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2SK3666-3-TB-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK3666-3-TB-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SK3666 | |
| 카탈로그 페이지 | 1532 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 1.2mA @ 10V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | 10mA | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 180mV @ 1µA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4pF @ 10V | |
| 저항 - RDS(On) | 200옴 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | 3-CP | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SK36663TBE 869-1107-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK3666-3-TB-E | |
| 관련 링크 | 2SK3666-, 2SK3666-3-TB-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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