홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » 2SK3476(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3476(TE12L,Q)

2SK3476(TE12L,Q)
제조업체 부품 번호
2SK3476(TE12L,Q)
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SK3476(TE12L,Q) 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SK3476(TE12L,Q) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. 2SK3476(TE12L,Q) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SK3476(TE12L,Q)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SK3476(TE12L,Q) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SK3476(TE12L,Q) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SK3476(TE12L,Q)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK3476
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형N채널
주파수520MHz
이득11.4dB
전압 - 테스트7.2V
정격 전류3A
잡음 지수-
전류 - 테스트500mA
전력 - 출력7W
전압 - 정격20V
패키지/케이스TO-271AA
공급 장치 패키지PW-X
표준 포장 1
다른 이름2SK3476(TE12LQ)CT
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SK3476(TE12L,Q)
관련 링크2SK3476(T, 2SK3476(TE12L,Q) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
2SK3476(TE12L,Q) 의 관련 제품
270pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) 1812CA271KAT1A.pdf
2.9nH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 47 mOhm Max 0402 (1005 Metric) LQW15AN2N9B80D.pdf
RES SMD 137K OHM 0.5% 1/8W 0805 AT0805DRE07137KL.pdf
APW7116RE-TRL ANPEC SSOP-24 APW7116RE-TRL.pdf
KS2146 Samsung 42DIP(216Box) KS2146.pdf
V48C32C150BG VICOR SMD or Through Hole V48C32C150BG.pdf
29LV160C0BTC-70 MAX TSOP48 29LV160C0BTC-70.pdf
C0402C0G500-101FNP VENKEL SMD or Through Hole C0402C0G500-101FNP.pdf
ETC144-1TR M/A-COM SMD or Through Hole ETC144-1TR.pdf
S1613B-25.0000 PERICOM SMD or Through Hole S1613B-25.0000.pdf
GJ80521EX200-SL25A-1M INTEL PGA GJ80521EX200-SL25A-1M.pdf