창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK303100L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SK3031 | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1483 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | U-G1 | |
| 공급 장치 패키지 | U-G1 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2SK303100LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK303100L | |
| 관련 링크 | 2SK303, 2SK303100L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
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![]() | BAP65-05,215 | BAP65-05,215 NXP SMD or Through Hole | BAP65-05,215.pdf | |
![]() | SKN650F08 | SKN650F08 Semikron module | SKN650F08.pdf | |
![]() | CT0U33M35VBV | CT0U33M35VBV ORIGINAL SMD or Through Hole | CT0U33M35VBV.pdf | |
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![]() | CS0603KRX7R7BB273 | CS0603KRX7R7BB273 YAGEO SMD | CS0603KRX7R7BB273.pdf | |
![]() | 28F320S3B-L11 | 28F320S3B-L11 ORIGINAL BGA | 28F320S3B-L11.pdf | |
![]() | LT1800CS5LTRN) | LT1800CS5LTRN) LINEAR SOT-5 | LT1800CS5LTRN).pdf |