창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SK2231(TE16R1,NQ) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Mosfets Prod Guide 2SK2231 | |
| 카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 370pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PW-MOLD | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 2SK2231 (TE16R1,NQ) 2SK2231TE16R1NQ 2SK2231TE16RQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SK2231(TE16R1,NQ) | |
| 관련 링크 | 2SK2231(TE, 2SK2231(TE16R1,NQ) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | SC3316FH-1R5 | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 8.5A 8 mOhm Max Nonstandard | SC3316FH-1R5.pdf | |
![]() | ISC1210SY150J | 15µH Shielded Wirewound Inductor 165mA 2.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210SY150J.pdf | |
![]() | E2E-C04S12-WC-C1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.047" (1.2mm) IP67 Cylinder | E2E-C04S12-WC-C1 2M.pdf | |
![]() | LF1/2CT1103F | LF1/2CT1103F NULL NULL | LF1/2CT1103F.pdf | |
![]() | M53214 | M53214 MIT DIP | M53214.pdf | |
![]() | PTS645VM15 | PTS645VM15 C&K ORIGINAL | PTS645VM15.pdf | |
![]() | STPS60L45 | STPS60L45 ST TO-3P | STPS60L45.pdf | |
![]() | NLC252018T-6R8K-N | NLC252018T-6R8K-N CHILISIN SMD | NLC252018T-6R8K-N.pdf | |
![]() | RJ3-400V010MG3 | RJ3-400V010MG3 ELNA DIP | RJ3-400V010MG3.pdf | |
![]() | CT266 | CT266 IMI SOP8 | CT266.pdf | |
![]() | S3937 | S3937 TOS TO-126 | S3937.pdf | |
![]() | MJ1105 | MJ1105 ON TO-3 | MJ1105.pdf |