창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK1859-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SK1859 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 980pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SK1859-E | |
관련 링크 | 2SK18, 2SK1859-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | AD7579AN | AD7579AN AD DIP24 | AD7579AN.pdf | |
![]() | EL576-01 | EL576-01 DEFOND SOP14 | EL576-01.pdf | |
![]() | C3225JF0J107Z250AA | C3225JF0J107Z250AA TDK SMD or Through Hole | C3225JF0J107Z250AA.pdf | |
![]() | US201L-AF5-R | US201L-AF5-R UTC SOT23-5 | US201L-AF5-R.pdf | |
![]() | 2N5434A | 2N5434A ORIGINAL CAN3 | 2N5434A.pdf | |
![]() | EMG3010 | EMG3010 ORIGINAL DIP-14L | EMG3010.pdf | |
![]() | S00001B | S00001B NSC QFN | S00001B.pdf | |
![]() | 2SC5629 | 2SC5629 HITACHI SOT-423 | 2SC5629.pdf | |
![]() | C1608X7R1C474KT000N | C1608X7R1C474KT000N TDK SMD or Through Hole | C1608X7R1C474KT000N.pdf | |
![]() | HSP43124SC45 | HSP43124SC45 HOL SOIC | HSP43124SC45.pdf | |
![]() | 1N4550 | 1N4550 MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N4550.pdf | |
![]() | ATTM01G. | ATTM01G. AME SOP-8 | ATTM01G..pdf |