창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK1058-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SK1056/7/8 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 160V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SK1058-E | |
관련 링크 | 2SK10, 2SK1058-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
EVK105CH0R5BW-F | 0.50pF 16V 세라믹 커패시터 C0H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | EVK105CH0R5BW-F.pdf | ||
FA-238V 13.0000MB-K0 | 13MHz ±50ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 13.0000MB-K0.pdf | ||
RP73D2A3K4BTG | RES SMD 3.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A3K4BTG.pdf | ||
4310R-101-335LF | 4310R-101-335LF BOURNS DIP | 4310R-101-335LF.pdf | ||
XC18V01S020I | XC18V01S020I XILINX SMD or Through Hole | XC18V01S020I.pdf | ||
3508CM | 3508CM BB CAN8 | 3508CM.pdf | ||
STR-G6632A | STR-G6632A STR SMD or Through Hole | STR-G6632A.pdf | ||
LBAT54SLT1G-LD3 | LBAT54SLT1G-LD3 LRC SOT-23 | LBAT54SLT1G-LD3.pdf | ||
NCV2931DT5.0RKG | NCV2931DT5.0RKG ON SMD or Through Hole | NCV2931DT5.0RKG.pdf | ||
ECDG0ER408 | ECDG0ER408 PAN SMD or Through Hole | ECDG0ER408.pdf | ||
17LV256 . 10CC | 17LV256 . 10CC ATMEL LAP | 17LV256 . 10CC.pdf | ||
HCPL0429 | HCPL0429 AVAGO DIPSOP8 | HCPL0429.pdf |