ON Semiconductor 2SJ652-1E
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- 제조업체 부품 번호
- 2SJ652-1E
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
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2SJ652-1E 가격 및 조달
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9125 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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2SJ652-1E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2SJ652-1E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SJ652 | |
| PCN 조립/원산지 | Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fab Transfer 12/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4360pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F-3SG | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 2SJ652-1E-ND 2SJ652-1EOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SJ652-1E | |
| 관련 링크 | 2SJ65, 2SJ652-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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