창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SJ652-1E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SJ652 | |
| PCN 조립/원산지 | Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fab Transfer 12/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4360pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F-3SG | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 2SJ652-1E-ND 2SJ652-1EOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SJ652-1E | |
| 관련 링크 | 2SJ65, 2SJ652-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0603S91NJT000 | 91nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 4.3 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S91NJT000.pdf | |
![]() | CRCW251243R2FKEGHP | RES SMD 43.2 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251243R2FKEGHP.pdf | |
![]() | LD-9201 | LD-9201 LODE SMD or Through Hole | LD-9201.pdf | |
![]() | AQY221R1SZ | AQY221R1SZ NAIS SOP4 | AQY221R1SZ.pdf | |
![]() | TA8859A | TA8859A TOS DIP | TA8859A.pdf | |
![]() | 88E1111-CAA1 B2E | 88E1111-CAA1 B2E MARVELL BGA | 88E1111-CAA1 B2E.pdf | |
![]() | 51A/XBIS | 51A/XBIS ORIGINAL SOP8 | 51A/XBIS.pdf | |
![]() | 216PQAKA13FG-(X1300/M52-P) | 216PQAKA13FG-(X1300/M52-P) ORIGINAL BGA | 216PQAKA13FG-(X1300/M52-P).pdf | |
![]() | CE0401G88DCB000RB2 | CE0401G88DCB000RB2 ORIGINAL SMD or Through Hole | CE0401G88DCB000RB2.pdf | |
![]() | SN54S158J-B | SN54S158J-B AMD CDIP-14 | SN54S158J-B.pdf | |
![]() | NJG1600KB2TE1 | NJG1600KB2TE1 JRC SMD or Through Hole | NJG1600KB2TE1.pdf | |
![]() | NT5V8M16DS-6K | NT5V8M16DS-6K NANYA TSOP | NT5V8M16DS-6K.pdf |