창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SJ526-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2SJ526-E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2SJ526-E | |
| 관련 링크 | 2SJ5, 2SJ526-E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C1808C681JGGAC7800 | 680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808C681JGGAC7800.pdf | |
![]() | ECW-H12393RHV | 0.039µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.413" W (23.00mm x 10.50mm) | ECW-H12393RHV.pdf | |
![]() | 3KASMC10HE3_A/H | TVS DIODE 10VWM 18.8VC DO214AB | 3KASMC10HE3_A/H.pdf | |
![]() | ABM9-12.000MHZ-10-D1Y-T | 12MHz ±10ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM9-12.000MHZ-10-D1Y-T.pdf | |
| PM5022S-330M-RC | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 83 mOhm Nonstandard | PM5022S-330M-RC.pdf | ||
![]() | CLF10040T-6R8N-D | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 24.05 mOhm Max Nonstandard | CLF10040T-6R8N-D.pdf | |
![]() | HI1-1818A-2 | HI1-1818A-2 HAR DIP16 | HI1-1818A-2.pdf | |
![]() | ISPLSI2181A-80LQ160 | ISPLSI2181A-80LQ160 LATTICE SMD or Through Hole | ISPLSI2181A-80LQ160.pdf | |
![]() | 24LC32AT-I/STG | 24LC32AT-I/STG MIRCHIP TSSOP | 24LC32AT-I/STG.pdf | |
![]() | 60650-2 | 60650-2 TYCO SMD or Through Hole | 60650-2.pdf | |
![]() | P280CH05CJ0 | P280CH05CJ0 WESTCODE MODULE | P280CH05CJ0.pdf | |
![]() | MMB25233BLT1 | MMB25233BLT1 OM SMD or Through Hole | MMB25233BLT1.pdf |