창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SJ05231N13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2SJ05231N13 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2SJ05231N13 | |
| 관련 링크 | 2SJ052, 2SJ05231N13 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ110CE3/TR13 | TVS DIODE 110VWM 196VC SMBJ | SMBJ110CE3/TR13.pdf | |
![]() | 405C35E30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C35E30M00000.pdf | |
![]() | SIT8008BI-82-33E-7.680000T | OSC XO 3.3V 7.68MHZ OE | SIT8008BI-82-33E-7.680000T.pdf | |
| MBRT120150 | DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER | MBRT120150.pdf | ||
![]() | FDS86242 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | FDS86242.pdf | |
![]() | AISC-0402HP-6N2J-T | 6.2nH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 65 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AISC-0402HP-6N2J-T.pdf | |
![]() | RH02B1CW3X | RH02B1CW3X ORIGINAL SMD or Through Hole | RH02B1CW3X.pdf | |
![]() | AM28F512-150PIB | AM28F512-150PIB AMD DIP | AM28F512-150PIB.pdf | |
![]() | NJU4565 | NJU4565 IRC SOP | NJU4565.pdf | |
![]() | 2DL 1A50KV | 2DL 1A50KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 2DL 1A50KV.pdf | |
![]() | BA9536KSZ | BA9536KSZ ROHM QFP | BA9536KSZ.pdf | |
![]() | EGF1B_NL | EGF1B_NL FAIRCHILD SMA | EGF1B_NL.pdf |