창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SD2195T100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SD2195, 1980, 1867 | |
| 카탈로그 페이지 | 1641 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | MPT3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 2SD2195T100-ND 2SD2195T100TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SD2195T100 | |
| 관련 링크 | 2SD219, 2SD2195T100 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MU1005-151Y | 150 Ohm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount Power, Signal Line 100mA 1 Lines 300 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | MU1005-151Y.pdf | |
![]() | CPF0603F5R9C1 | RES SMD 5.9 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F5R9C1.pdf | |
![]() | ST8886B-11 | ST8886B-11 ORIGINAL SMD or Through Hole | ST8886B-11.pdf | |
![]() | 2SC1100 | 2SC1100 NIP SMD or Through Hole | 2SC1100.pdf | |
![]() | AM29DL163DB-900EI | AM29DL163DB-900EI AMD TSOP48 | AM29DL163DB-900EI.pdf | |
![]() | NTR06B2003CTRF | NTR06B2003CTRF NICCOMPONENTS TNPW0603200kOhms | NTR06B2003CTRF.pdf | |
![]() | SN75136 | SN75136 TI DIP | SN75136.pdf | |
![]() | ABLS-18.432MHZ-13-R25-2-Y-T | ABLS-18.432MHZ-13-R25-2-Y-T ORIGINAL SMD | ABLS-18.432MHZ-13-R25-2-Y-T.pdf | |
![]() | IXFC36N50P | IXFC36N50P IXYS TO-220 | IXFC36N50P.pdf | |
![]() | NJL4560 | NJL4560 JRC SOP8 | NJL4560.pdf | |
![]() | 74LVC00AWP | 74LVC00AWP TI TSSOP | 74LVC00AWP.pdf | |
![]() | CL31B102KBCNNND(CL31B102KBND) | CL31B102KBCNNND(CL31B102KBND) SAMSUNGEM SMD or Through Hole | CL31B102KBCNNND(CL31B102KBND).pdf |