창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SD2150T100S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SD2150 | |
카탈로그 페이지 | 1639 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
주파수 - 트랜지션 | 290MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | MPT3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 2SD2150T100S-ND 2SD2150T100STR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SD2150T100S | |
관련 링크 | 2SD2150, 2SD2150T100S 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ1210A472KBCAT4X | 4700pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A472KBCAT4X.pdf | ||
MKP385551040JPM4T0 | 5.1µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385551040JPM4T0.pdf | ||
ERJ-1GEF4641C | RES SMD 4.64K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF4641C.pdf | ||
TS-1.5P-100-HB | TS-1.5P-100-HB AVX 3 4 | TS-1.5P-100-HB.pdf | ||
KI1230 | KI1230 SHINKOH DIP | KI1230.pdf | ||
GA355DR7GC101KY02L | GA355DR7GC101KY02L MURATA SMD | GA355DR7GC101KY02L.pdf | ||
LTFHG | LTFHG ORIGINAL SMD | LTFHG.pdf | ||
HJ161077B | HJ161077B ICS SOP28 | HJ161077B.pdf | ||
APT5025BNG | APT5025BNG APT TO-3PL | APT5025BNG.pdf | ||
1-234-5 | 1-234-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1-234-5.pdf | ||
PIC16F873I/SO | PIC16F873I/SO MICROCHIP SO28 | PIC16F873I/SO.pdf | ||
D36A34.3680ENS | D36A34.3680ENS HOSONIC SMD or Through Hole | D36A34.3680ENS.pdf |