창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SD1835T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SD1835 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | 3-NP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SD1835T | |
| 관련 링크 | 2SD1, 2SD1835T 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | LQW15AN6N9G80D | 6.9nH Unshielded Wirewound Inductor 1.42A 69 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN6N9G80D.pdf | |
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![]() | SW-239c | SW-239c MA/COM SMD or Through Hole | SW-239c.pdf | |
![]() | SFH881BF001 | SFH881BF001 SAMSUNG 2*2.5 | SFH881BF001.pdf | |
![]() | LMY11W | LMY11W SUNLED DIP | LMY11W.pdf | |
![]() | 97-3057-10 | 97-3057-10 AMP SMD or Through Hole | 97-3057-10.pdf | |
![]() | 71M6521DE-I | 71M6521DE-I RMI SMD or Through Hole | 71M6521DE-I.pdf | |
![]() | GE28F160B3TD | GE28F160B3TD INTEL BGA | GE28F160B3TD.pdf | |
![]() | 5034802000 | 5034802000 Molex SMD or Through Hole | 5034802000.pdf |