Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F
제조업체 부품 번호
2SC6026MFVGR,L3F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
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2SC6026MFVGR,L3F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC6026MFVGR,L3F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SC6026MFV
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)150mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대150mW
주파수 - 트랜지션60MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지VESM
표준 포장 8,000
다른 이름2SC6026MFVGR,L3F(B
2SC6026MFVGR,L3F(T
2SC6026MFVGRL3FTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2SC6026MFVGR,L3F
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