홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SC5876T106R

Rohm Semiconductor 2SC5876T106R

2SC5876T106R
제조업체 부품 번호
2SC5876T106R
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 60V 0.5A SOT-323
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC5876T106R 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 133.43616
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC5876T106R 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. 2SC5876T106R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC5876T106R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC5876T106R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC5876T106R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC5876T106R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SC5876
카탈로그 페이지 1639 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 50mA, 2V
전력 - 최대200mW
주파수 - 트랜지션300MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지UMT3
표준 포장 3,000
다른 이름2SC5876T106RTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC5876T106R
관련 링크2SC5876, 2SC5876T106R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
2SC5876T106R 의 관련 제품
10pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C907U100DZNDBA7317.pdf
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB RGL41D-E3/96.pdf
2.2mH Unshielded Molded Inductor 68mA 30 Ohm Max Axial 2500-44G.pdf
RES SMD 30.9 OHM 0.1% 1/10W 0603 AT0603BRD0730R9L.pdf
RES 42.2 OHM 0.6W 1% AXIAL MBB02070C4229FRP00.pdf
63S140J AMD DIP-16 63S140J.pdf
DG423DY+T MAXIM N.SO DG423DY+T.pdf
SAFEB881MAL0F00 Murata SMD or Through Hole SAFEB881MAL0F00.pdf
78SR106TC TIS Call 78SR106TC.pdf
M1002S079-42 6.176803MHZ MTRONPTI SMD or Through Hole M1002S079-42 6.176803MHZ.pdf
RZB92DHRQ-S330 SULLINS SMD or Through Hole RZB92DHRQ-S330.pdf
LSI53C96100QFP ORIGINAL ORIGINAL LSI53C96100QFP.pdf