홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SC5200N(S1,E,S)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200N(S1,E,S)

2SC5200N(S1,E,S)
제조업체 부품 번호
2SC5200N(S1,E,S)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC5200N(S1,E,S) 가격 및 조달

가능 수량

8828 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,167.69000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC5200N(S1,E,S) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. 2SC5200N(S1,E,S) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC5200N(S1,E,S)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC5200N(S1,E,S) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC5200N(S1,E,S) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC5200N(S1,E,S)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SC5200N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)15A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)230V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 800mA, 8A
전류 - 콜렉터 차단(최대)5µA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 1A, 5V
전력 - 최대150W
주파수 - 트랜지션30MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P(N)
표준 포장 150
다른 이름2SC5200N(S1ES)
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC5200N(S1,E,S)
관련 링크2SC5200N(, 2SC5200N(S1,E,S) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
2SC5200N(S1,E,S) 의 관련 제품
220µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 130°C 16RX30220MT78X16.pdf
RES SMD 39.2K OHM 1% 1/8W 0805 RC2012F3922CS.pdf
T15M64A-70N TMT DIP T15M64A-70N.pdf
DSI75-16B IXYS DO-5 DSI75-16B.pdf
IRF358 IOR SOP8 IRF358.pdf
ICS953009AFLFT IDT SSOP56 ICS953009AFLFT.pdf
K1- RICHTEK SMD or Through Hole K1-.pdf
LM7818CV ST TO-220 LM7818CV.pdf
uPC8172TK NEC SOT-463 uPC8172TK.pdf
R6670-20/27 ZILOG PLCC R6670-20/27.pdf
KID65004AF-EL KEC SOP16 KID65004AF-EL.pdf