홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » 2SC5095-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O(TE85L,F)

2SC5095-O(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
2SC5095-O(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
TRANSISTOR NPN MM-USM
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC5095-O(TE85L,F) 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 95.74045
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC5095-O(TE85L,F) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. 2SC5095-O(TE85L,F) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC5095-O(TE85L,F)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC5095-O(TE85L,F) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC5095-O(TE85L,F) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC5095-O(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SC5095
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)10V
주파수 - 트랜지션10GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1.8dB @ 2GHz
이득13dB ~ 7dB
전력 - 최대100mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 6V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)15mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 3,000
다른 이름2SC5095-O(TE85LF)TR
2SC5095-OTE85LF
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC5095-O(TE85L,F)
관련 링크2SC5095-O(, 2SC5095-O(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
2SC5095-O(TE85L,F) 의 관련 제품
4.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D4R3CXXAC.pdf
4.7µH Shielded Multilayer Inductor 60mA 650 mOhm Max 0603 (1608 Metric) MLZ1608E4R7M.pdf
RES SMD 887 OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRC07887RL.pdf
SMBJ70A(NP) FSC SMB SMBJ70A(NP).pdf
AD6C111-EHSTR SSOUSA SOP AD6C111-EHSTR.pdf
TAJC336K010RY AVX SMD or Through Hole TAJC336K010RY.pdf
KT110 INFINEON TO-92M KT110.pdf
MC2193T28 MEGAPOWER SOT23-5 MC2193T28.pdf
ROS-3997+ MINI SMD or Through Hole ROS-3997+.pdf
SAFEA942MFLOF00 MURATA SMD SAFEA942MFLOF00.pdf
AM3202 ORIGINAL SMD or Through Hole AM3202.pdf