홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SC3646T-TD-E

ON Semiconductor 2SC3646T-TD-E

2SC3646T-TD-E
제조업체 부품 번호
2SC3646T-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 100V 1A SOT89-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC3646T-TD-E 가격 및 조달

가능 수량

9550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 146.80202
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC3646T-TD-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SC3646T-TD-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC3646T-TD-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC3646T-TD-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC3646T-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC3646T-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SA1416/2SC3646
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic400mV @ 40mA, 400mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 5V
전력 - 최대500mW
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
표준 포장 1,000
다른 이름2SC3646T-TD-E-ND
2SC3646T-TD-EOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC3646T-TD-E
관련 링크2SC3646, 2SC3646T-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SC3646T-TD-E 의 관련 제품
14.31818MHz ±20ppm 수정 16pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445A22C14M31818.pdf
RES SMD 768K OHM 1% 1/4W 1206 RV1206FR-07768KL.pdf
MM74HC04N_NL ORIGINAL SMD or Through Hole MM74HC04N_NL.pdf
T45 ORIGINAL SOT-89 T45.pdf
63812-1 TYCO 1500 63812-1.pdf
TD2249AL ORIGINAL DIP-16 TD2249AL.pdf
MT48LC8M32B2-7 MICRON TSSOP MT48LC8M32B2-7.pdf
HD74BC645FPQEL RENESAS SOP-20 HD74BC645FPQEL.pdf
ST72752J4B1/LAP ORIGINAL DIP42 ST72752J4B1/LAP.pdf
CRD-2815 N/A SMD or Through Hole CRD-2815.pdf
LA5659 SANYO SOP LA5659.pdf
UPB7438C ORIGINAL DIP UPB7438C.pdf