창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SC2859-Y(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SC2859 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | S-Mini | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 2SC2859-Y(TE85LF)CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SC2859-Y(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | 2SC2859-Y(, 2SC2859-Y(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | SB15H45-E3/54 | DIODE SCHOTTKY 45V 7A DO204AL | SB15H45-E3/54.pdf | |
![]() | 4302-391J | 390nH Unshielded Inductor 825mA 220 mOhm Max 2-SMD | 4302-391J.pdf | |
![]() | ERJ-S02F8873X | RES SMD 887K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F8873X.pdf | |
![]() | Y0006V0002TT9L | RES NETWORK 2 RES 5K OHM RADIAL | Y0006V0002TT9L.pdf | |
![]() | APX803-29SRG-7 | APX803-29SRG-7 DIODES SMD or Through Hole | APX803-29SRG-7.pdf | |
![]() | USC4126-01C | USC4126-01C SIEMENS CDIP14 | USC4126-01C.pdf | |
![]() | NZ2520SB 11.2896MHZ NSA3415B | NZ2520SB 11.2896MHZ NSA3415B NDK 2520 | NZ2520SB 11.2896MHZ NSA3415B.pdf | |
![]() | MB86C13BPV-ES-ERE1 | MB86C13BPV-ES-ERE1 FUJI BGA | MB86C13BPV-ES-ERE1.pdf | |
![]() | TMDSEVM6474L | TMDSEVM6474L TexasInstruments SMD or Through Hole | TMDSEVM6474L.pdf | |
![]() | 51T35541Y01 | 51T35541Y01 HITACHI TQFP100 | 51T35541Y01.pdf | |
![]() | ERZV20D102 | ERZV20D102 panasonic SMD or Through Hole | ERZV20D102.pdf | |
![]() | CCH19-S10-M | CCH19-S10-M PANDUIT/WSI SMD or Through Hole | CCH19-S10-M.pdf |