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ON Semiconductor 2SB817C-1E

2SB817C-1E
제조업체 부품 번호
2SB817C-1E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 140V 12A
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내부 부품 번호EIS-2SB817C-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SB817C
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)12A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)140V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic2V @ 500mA, 5A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100µA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
전력 - 최대120W
주파수 - 트랜지션10MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P-3L
표준 포장 30
다른 이름2SB817C-1E-ND
2SB817C-1EOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SB817C-1E
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