창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SB1386T100Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SB1386/1412/1326 | |
| 카탈로그 페이지 | 1640 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | MPT3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 2SB1386T100Q-ND 2SB1386T100QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SB1386T100Q | |
| 관련 링크 | 2SB1386, 2SB1386T100Q 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R4DLCAJ | 1.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R4DLCAJ.pdf | |
![]() | SIT8920AM-31-XXN-16.000000Y | OSC XO 16MHZ NC | SIT8920AM-31-XXN-16.000000Y.pdf | |
![]() | 3094-823KS | 82µH Unshielded Inductor 64mA 12 Ohm Max Nonstandard | 3094-823KS.pdf | |
![]() | 22FKZ-SM1-1-TB | 22FKZ-SM1-1-TB JST SMD or Through Hole | 22FKZ-SM1-1-TB.pdf | |
![]() | 2-87631-6 | 2-87631-6 ORIGINAL NEW | 2-87631-6.pdf | |
![]() | RLZTE-1120B(20V) | RLZTE-1120B(20V) ROHM LL34 | RLZTE-1120B(20V).pdf | |
![]() | K6R4016V10-TI10 | K6R4016V10-TI10 samsung TSOP48 | K6R4016V10-TI10.pdf | |
![]() | P89C52X2B | P89C52X2B PHI DIP | P89C52X2B.pdf | |
![]() | LC4032ZC-75TN48E | LC4032ZC-75TN48E LATTICE QFP | LC4032ZC-75TN48E.pdf | |
![]() | EPF10K50VRC240 | EPF10K50VRC240 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPF10K50VRC240.pdf | |
![]() | SED1606DOA | SED1606DOA EPSON QFP | SED1606DOA.pdf | |
![]() | RZ1J336M0811MBB280 | RZ1J336M0811MBB280 ORIGINAL SMD or Through Hole | RZ1J336M0811MBB280.pdf |