홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SB1386T100Q

Rohm Semiconductor 2SB1386T100Q

2SB1386T100Q
제조업체 부품 번호
2SB1386T100Q
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 20V 5A SOT-89
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SB1386T100Q 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 205.15810
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SB1386T100Q 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. 2SB1386T100Q 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SB1386T100Q가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SB1386T100Q 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SB1386T100Q 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SB1386T100Q
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SB1386/1412/1326
카탈로그 페이지 1640 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)5A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)20V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1V @ 100mA, 4A
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
전력 - 최대2W
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지MPT3
표준 포장 1,000
다른 이름2SB1386T100Q-ND
2SB1386T100QTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SB1386T100Q
관련 링크2SB1386, 2SB1386T100Q 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
2SB1386T100Q 의 관련 제품
36pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) 12101U360FAT2A.pdf
TVS DIODE 18VWM 29.2VC SMC SMCG18AHE3/9AT.pdf
OSC XO 3.3V 100MHZ OE SIT8008BI-71-33E-100.000000D.pdf
RES SMD 19.1KOHM 0.1% 1/16W 0402 RT0402BRE0719K1L.pdf
BTVM409-30AMEI FCI SMD or Through Hole BTVM409-30AMEI.pdf
P214CH04-08 WESTCODE SMD or Through Hole P214CH04-08.pdf
E29802 ORIGINAL SMD or Through Hole E29802.pdf
HD38800B14 HIT DIP HD38800B14.pdf
AMCCS3006 ORIGINAL SMD or Through Hole AMCCS3006.pdf
T639N20 EUPEC SMD or Through Hole T639N20.pdf
IXTM8P25(A) IXY SMD or Through Hole IXTM8P25(A).pdf
MAX4535CPD MAXIM DIP MAX4535CPD.pdf