창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SB1386T100Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SB1386/1412/1326 | |
| 카탈로그 페이지 | 1640 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | MPT3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 2SB1386T100Q-ND 2SB1386T100QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SB1386T100Q | |
| 관련 링크 | 2SB1386, 2SB1386T100Q 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 03066C104KAT2A | 0.10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0306(0816 미터법) 0.032" L x 0.063" W(0.81mm x 1.60mm) | 03066C104KAT2A.pdf | |
![]() | VJ0805D150FLBAJ | 15pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D150FLBAJ.pdf | |
![]() | CDV30FF103FO3F | MICA | CDV30FF103FO3F.pdf | |
![]() | ISC1210ER1R5K | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 370mA 750 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER1R5K.pdf | |
![]() | IC61C1024-15N | IC61C1024-15N ICSI DIP | IC61C1024-15N.pdf | |
![]() | CC0603 620J 50VY | CC0603 620J 50VY ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0603 620J 50VY.pdf | |
![]() | BFA19 | BFA19 PHILIPS SOT323 | BFA19.pdf | |
![]() | JM38510/11601BCC | JM38510/11601BCC SIX SMD or Through Hole | JM38510/11601BCC.pdf | |
![]() | 4L641 | 4L641 MICROCHIP MSOP | 4L641.pdf | |
![]() | PT75301 | PT75301 TI HTSOP20 | PT75301.pdf | |
![]() | MT91718AM | MT91718AM ORIGINAL SOP | MT91718AM.pdf | |
![]() | COP8SAC720N8B | COP8SAC720N8B NS DIP-20 | COP8SAC720N8B.pdf |