창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SB1316TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SB1580/1316 | |
| 카탈로그 페이지 | 1641 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 50MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 2SB1316TL-ND 2SB1316TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SB1316TL | |
| 관련 링크 | 2SB13, 2SB1316TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-S1TF6493U | RES SMD 649K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF6493U.pdf | |
![]() | 5003R1C-CSB-B | 5003R1C-CSB-B elecsoundja 2009 | 5003R1C-CSB-B.pdf | |
![]() | LM2576S-5.0E1 | LM2576S-5.0E1 XLS-E TO263-5L | LM2576S-5.0E1.pdf | |
![]() | CHA3667aQDG | CHA3667aQDG UMS SMD or Through Hole | CHA3667aQDG.pdf | |
![]() | 3006P-200R | 3006P-200R ORIGINAL SMD or Through Hole | 3006P-200R.pdf | |
![]() | SAS80-24-HA | SAS80-24-HA GANMA DIP | SAS80-24-HA.pdf | |
![]() | TS80C186EC25 | TS80C186EC25 INTEL QFP | TS80C186EC25.pdf | |
![]() | NMC27C020Q-120 | NMC27C020Q-120 NS DIP | NMC27C020Q-120.pdf | |
![]() | HYCOUEFOM F3P-6SSOE | HYCOUEFOM F3P-6SSOE HYNIX BGA | HYCOUEFOM F3P-6SSOE.pdf | |
![]() | B82422-A123-K100 | B82422-A123-K100 ORIGINAL SMD or Through Hole | B82422-A123-K100.pdf | |
![]() | R.5.50 | R.5.50 AG TQFP | R.5.50.pdf | |
![]() | BZD27C36 | BZD27C36 Philips SMD or Through Hole | BZD27C36.pdf |