Rohm Semiconductor 2SB1260T100R
- 제조업체 부품 번호
- 2SB1260T100R
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS PNP 80V 1A SOT-89
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2SB1260T100R 가격 및 조달
가능 수량
10550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 161.08710
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2SB1260T100R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2SB1260T100R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SB1260/1181/1241 | |
| 카탈로그 페이지 | 1640 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 3V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | MPT3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 2SB1260T100R-ND 2SB1260T100RTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SB1260T100R | |
| 관련 링크 | 2SB1260, 2SB1260T100R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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