홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SB1182TLQ

Rohm Semiconductor 2SB1182TLQ

2SB1182TLQ
제조업체 부품 번호
2SB1182TLQ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 32V 2A SOT-428
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SB1182TLQ 가격 및 조달

가능 수량

28550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 352.86451
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SB1182TLQ 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. 2SB1182TLQ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SB1182TLQ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SB1182TLQ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SB1182TLQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SB1182TLQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SB1182/1240
카탈로그 페이지 1641 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)32V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic800mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 3V
전력 - 최대10W
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지CPT3
표준 포장 2,500
다른 이름2SB1182TLQ-ND
2SB1182TLQTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SB1182TLQ
관련 링크2SB118, 2SB1182TLQ 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
2SB1182TLQ 의 관련 제품
11.0592MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US LP111F35IDT.pdf
150nH Unshielded Inductor 795mA 120 mOhm Max Nonstandard 3090-151K.pdf
RES SMD 30.9 OHM 0.5% 1/8W 0805 RT0805DRE0730R9L.pdf
RES METAL OX 2W 0.27 OHM 5% AXL RSMF2JBR270.pdf
RES 301 OHM 1W 1% AXIAL CMF60301R00FHBF.pdf
V5026S FAIRCHILD TO-263 V5026S.pdf
SW1DA-M1-5-DC9-15V ORIGINAL SMD or Through Hole SW1DA-M1-5-DC9-15V.pdf
201047-2 ORIGINAL NEW 201047-2.pdf
BC848CDXV6T1G ONSEMI SOT-5X3-EUT BC848CDXV6T1G.pdf
11LC010T-I/TT MICROCHIP SOT-23 11LC010T-I/TT.pdf
lms-q10 ORIGINAL SMD or Through Hole lms-q10.pdf
SMBJ15A/TPSMB15AHE3/52T VISHAY SMB SMBJ15A/TPSMB15AHE3/52T.pdf