창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SB1181TLQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SB1260/1181/1241 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V | |
전력 - 최대 | 10W | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | CPT3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 2SB1181TLQ-ND 2SB1181TLQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SB1181TLQ | |
관련 링크 | 2SB118, 2SB1181TLQ 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | DR30B6-EB | DR30B6-EB FUJI SMD or Through Hole | DR30B6-EB.pdf | |
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