홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SB1123T-TD-E

ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E

2SB1123T-TD-E
제조업체 부품 번호
2SB1123T-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SB1123T-TD-E 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 139.81144
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SB1123T-TD-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SB1123T-TD-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SB1123T-TD-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SB1123T-TD-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SB1123T-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SB1123T-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SB1123/2SD1623
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 2V
전력 - 최대500mW
주파수 - 트랜지션150MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
표준 포장 1,000
다른 이름2SB1123T-TD-E-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SB1123T-TD-E
관련 링크2SB1123, 2SB1123T-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SB1123T-TD-E 의 관련 제품
10000pF 250VAC 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) 65N103MCJIA.pdf
RES SMD 115K OHM 0.05% 1/8W 0805 TNPU0805115KAZEN00.pdf
GUF02-20D gulf SMD or Through Hole GUF02-20D.pdf
STM8S003F3P6 ST TSSOP20 STM8S003F3P6.pdf
HK21252N2S TAIYO SMD HK21252N2S.pdf
T498B475K010ATE2K7 KEMET SMD or Through Hole T498B475K010ATE2K7.pdf
93B04SCR N/A SOP 93B04SCR.pdf
1438082-1 TYCO SMD or Through Hole 1438082-1.pdf
ACE50221BNB+ ACE SOT-23-5B ACE50221BNB+.pdf
V56ZC20X2539 LITTEL SMD or Through Hole V56ZC20X2539.pdf
ICX643BKA/3142/2096 SONY DIP ICX643BKA/3142/2096.pdf
RD24M-T1B. NEC SOT-23 RD24M-T1B..pdf