홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SB1123T-TD-E

ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E

2SB1123T-TD-E
제조업체 부품 번호
2SB1123T-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SB1123T-TD-E 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 139.81144
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SB1123T-TD-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SB1123T-TD-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SB1123T-TD-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SB1123T-TD-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SB1123T-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SB1123T-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SB1123/2SD1623
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 2V
전력 - 최대500mW
주파수 - 트랜지션150MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
표준 포장 1,000
다른 이름2SB1123T-TD-E-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SB1123T-TD-E
관련 링크2SB1123, 2SB1123T-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SB1123T-TD-E 의 관련 제품
2200pF 25V 세라믹 커패시터 JB 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) C0603JB1E222M030BA.pdf
24WC04L CSI DIP-8P 24WC04L.pdf
HIP4020 INTERSIL SMD or Through Hole HIP4020.pdf
74F827D PHILIPS SMD-24 74F827D.pdf
OPEL196779A0 MOTO SOP-28 OPEL196779A0.pdf
SGM809-XXN3/TR SGMICRO SOT23-3 SGM809-XXN3/TR.pdf
GRM39C0GR75C50-500 MURATA SMD or Through Hole GRM39C0GR75C50-500.pdf
BZX84B13-V GS08 ORIGINAL SMD or Through Hole BZX84B13-V GS08.pdf
SC017-4-TE12RA TEL:82766440 FUJI SOT1210 SC017-4-TE12RA TEL:82766440.pdf
MAX6505UTP105 MAXIM SOT23-8 MAX6505UTP105.pdf