홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SA2012-TD-E

ON Semiconductor 2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E
제조업체 부품 번호
2SA2012-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 30V 5A SOT89-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SA2012-TD-E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 183.46225
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SA2012-TD-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SA2012-TD-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SA2012-TD-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SA2012-TD-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SA2012-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SA2012-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SA2012/2SC5565
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)5A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic210mV @ 30mA, 1.5A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 2V
전력 - 최대3.5W
주파수 - 트랜지션420MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SA2012-TD-E
관련 링크2SA2012, 2SA2012-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SA2012-TD-E 의 관련 제품
47pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D470MXXAJ.pdf
RES 21.659KOHM 0.6W 0.01% RADIAL Y006221K6590T0L.pdf
8620-2M XICOR SOP-8 8620-2M.pdf
BH28FB1WG ROHM SOT23-5 BH28FB1WG.pdf
DS34LV86 NS SMD or Through Hole DS34LV86.pdf
AE301 ABB SMD or Through Hole AE301.pdf
4050BD ON SMD or Through Hole 4050BD.pdf
jmk316bj475klt taiyo SMD or Through Hole jmk316bj475klt.pdf
LMV7235M7X TEL:82766440 NS SMD or Through Hole LMV7235M7X TEL:82766440.pdf
LC245ATI TI QFN LC245ATI.pdf
405281100000 FINDER SMD or Through Hole 405281100000.pdf