창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SA2007E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SA2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 12A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 400mA, 8A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 320 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 25W | |
주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FN | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SA2007E | |
관련 링크 | 2SA2, 2SA2007E 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRM0335C2A3R5CA01D | 3.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A3R5CA01D.pdf | |
![]() | VJ2220Y153KBCAT4X | 0.015µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y153KBCAT4X.pdf | |
![]() | Y402274R0000A9W | RES SMD 74 OHM 0.05% 1/5W 0805 | Y402274R0000A9W.pdf | |
![]() | Y162510K0000Q0W | RES SMD 10K OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y162510K0000Q0W.pdf | |
![]() | CFR-25JR-52-430K | RES 430K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-430K.pdf | |
![]() | RFS-50V101MI5 | RFS-50V101MI5 ELNA DIP | RFS-50V101MI5.pdf | |
![]() | MM5606BJ | MM5606BJ NATIONAL CDIP | MM5606BJ.pdf | |
![]() | NAND01GR3A2BZB6E | NAND01GR3A2BZB6E NUMONYX FBGA | NAND01GR3A2BZB6E.pdf | |
![]() | 74HC273PW/TSSOP | 74HC273PW/TSSOP NXP TSSOP | 74HC273PW/TSSOP.pdf | |
![]() | SI-3204G | SI-3204G SANKEN SMD or Through Hole | SI-3204G.pdf | |
![]() | H01N50SI TO251 | H01N50SI TO251 ORIGINAL TO251 | H01N50SI TO251.pdf | |
![]() | RN1964(TE85R) SOT363-XXD | RN1964(TE85R) SOT363-XXD TOSHIBA SOT-363 SOT-323-6 | RN1964(TE85R) SOT363-XXD.pdf |