창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SA1162S-Y,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SA1162 | |
제품 교육 모듈 | General Purpose Discrete Items | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | S-Mini | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2SA1162S-Y,LF(D 2SA1162S-YLFTR 2SA1162SYLF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SA1162S-Y,LF | |
관련 링크 | 2SA1162, 2SA1162S-Y,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 416F360X2IAT | 36MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X2IAT.pdf | |
![]() | RJSAE-5384-08 | RJSAE-5384-08 AMPHENOL SMD or Through Hole | RJSAE-5384-08.pdf | |
![]() | LN1234B132MR++ | LN1234B132MR++ natlinear SOT-23-5L | LN1234B132MR++.pdf | |
![]() | JK30-050 | JK30-050 JK DIP | JK30-050.pdf | |
![]() | HT9102D | HT9102D HOLTEK DIP-24P | HT9102D.pdf | |
![]() | ES1DF-A | ES1DF-A KTG SMAFL | ES1DF-A.pdf | |
![]() | PE-64352NL | PE-64352NL PULSE SMD or Through Hole | PE-64352NL.pdf | |
![]() | MN61219 | MN61219 ORIGINAL QFP | MN61219.pdf | |
![]() | ISPLSI1032E-70LT1 | ISPLSI1032E-70LT1 ORIGINAL SMD or Through Hole | ISPLSI1032E-70LT1.pdf | |
![]() | DE150-501N04A | DE150-501N04A Diodes SMD or Through Hole | DE150-501N04A.pdf | |
![]() | LGHK16085N6ST | LGHK16085N6ST taiyo INSTOCKPACK4000 | LGHK16085N6ST.pdf | |
![]() | SH30B-T17N | SH30B-T17N ORIGINAL DIP | SH30B-T17N.pdf |