창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7638-GA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7638-GA | |
설계 리소스 | 2N7638-GA Spice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc)(158°C) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 8A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 720pF @ 35V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 225°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-276AA | |
공급 장치 패키지 | TO-276 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1242-1149 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7638-GA | |
관련 링크 | 2N763, 2N7638-GA 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
251R14S1R3BV4T | 1.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S1R3BV4T.pdf | ||
BFC241701604 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC241701604.pdf | ||
RSH110N03TB1 | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 | RSH110N03TB1.pdf | ||
ZWS150BAF-12 | AC/DC CONVERTER 12V 150W | ZWS150BAF-12.pdf | ||
CP00102R000JE313 | RES 2 OHM 10W 5% AXIAL | CP00102R000JE313.pdf | ||
P51-15-G-I-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-G-I-I36-4.5V-000-000.pdf | ||
200N10 IXFK200N10P IIXFK200N10 | 200N10 IXFK200N10P IIXFK200N10 IXYS TO-264 | 200N10 IXFK200N10P IIXFK200N10.pdf | ||
LT3495BEDDB-1D | LT3495BEDDB-1D LINEAR DFN | LT3495BEDDB-1D.pdf | ||
ULN2003AFWG(SCELHZ | ULN2003AFWG(SCELHZ TOSHIBA SMD or Through Hole | ULN2003AFWG(SCELHZ.pdf | ||
QSE-060-01-F-D-A | QSE-060-01-F-D-A SAMTEC SMD or Through Hole | QSE-060-01-F-D-A.pdf | ||
ERT801 | ERT801 SEOUL SMD or Through Hole | ERT801.pdf |