창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7008-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7008 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7008-G | |
관련 링크 | 2N70, 2N7008-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001DE1-018.4320T | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DE1-018.4320T.pdf | |
![]() | RS2GHE3_A/H | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | RS2GHE3_A/H.pdf | |
![]() | RCP2512B560RGEB | RES SMD 560 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B560RGEB.pdf | |
![]() | RD15JS-T1 | RD15JS-T1 PFS DIP | RD15JS-T1.pdf | |
![]() | XC3030A7PQ100C | XC3030A7PQ100C XILINX QFP | XC3030A7PQ100C.pdf | |
![]() | DS1077LZ-60 | DS1077LZ-60 DALLAS SOIC | DS1077LZ-60.pdf | |
![]() | BAT62-08S | BAT62-08S INFINEON SOT363-6 | BAT62-08S.pdf | |
![]() | 49CN10N | 49CN10N Infineon SMD or Through Hole | 49CN10N.pdf | |
![]() | SED1300F0C | SED1300F0C EPSON TQFP80 | SED1300F0C.pdf | |
![]() | QG82GWP QJ60 | QG82GWP QJ60 INTEL BGA | QG82GWP QJ60.pdf | |
![]() | CDS3C15GTA | CDS3C15GTA EPCOS SMD or Through Hole | CDS3C15GTA.pdf | |
![]() | GSR-M-105F | GSR-M-105F GOODSKY DIP-SOP | GSR-M-105F.pdf |