창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002W Datasheet | |
PCN 조립/원산지 | Qualification of Manufacturing Source 25/Nov/2013 Assembly Site Chg 01/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2N7002WTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002W | |
관련 링크 | 2N70, 2N7002W 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
URU2E470MRD | 47µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URU2E470MRD.pdf | ||
SIT8008BI-22-33E-25.007500D | OSC XO 3.3V 25.0075MHZ OE | SIT8008BI-22-33E-25.007500D.pdf | ||
CMF5547K500FHEB70 | RES 47.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5547K500FHEB70.pdf | ||
AD5962 | AD5962 AD DIP-8 | AD5962.pdf | ||
FP25R12U1T4 | FP25R12U1T4 Infineontechnologies SMD or Through Hole | FP25R12U1T4.pdf | ||
TSM2301BCX | TSM2301BCX TSC SOT-23 | TSM2301BCX.pdf | ||
QX3406F18X | QX3406F18X QX SOT89 | QX3406F18X.pdf | ||
BLV59/01 | BLV59/01 PHIL SMD or Through Hole | BLV59/01.pdf | ||
UPD17218GT-518 | UPD17218GT-518 NEC SOIC28 | UPD17218GT-518.pdf | ||
SF618A-2 | SF618A-2 ORIGINAL DIP4 | SF618A-2.pdf |