홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » 2N7002T-7

Diodes Incorporated 2N7002T-7

2N7002T-7
제조업체 부품 번호
2N7002T-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
데이터 시트 다운로드
다운로드
2N7002T-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2N7002T-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. 2N7002T-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2N7002T-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2N7002T-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2N7002T-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2N7002T-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N7002T Datasheet
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate Change 09/July/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C115mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 50mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대150mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-523
공급 장치 패키지SOT-523
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002TDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N7002T-7
관련 링크2N700, 2N7002T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
2N7002T-7 의 관련 제품
0.1µF Thin Film Capacitor 10V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) GX02ZZ104KAT2-500.pdf
RES SMD 220K OHM 5% 1/3W 1206 HVCB1206JTD220K.pdf
RES SMD 806 OHM 0.1% 1/8W 0805 RNCF0805BKE806R.pdf
RES SMD 9.65K OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW08059K65BEEA.pdf
06N03LA INFIN P-TO263-3-2 06N03LA .pdf
14.800MHZ ORIGINAL S 14.800MHZ.pdf
IR351C IR TO263 IR351C.pdf
79H24 NS TO-3 79H24.pdf
63445-1630 Molex SMD or Through Hole 63445-1630.pdf
APM2700ACC-TRG ORIGINAL SOT-26 APM2700ACC-TRG.pdf
AC6-02H2H-02-HG Cosel SMD or Through Hole AC6-02H2H-02-HG.pdf
ELM7S04 NOPB ELM SOT153 ELM7S04 NOPB.pdf