창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002MTF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7000/02, NDS7002A Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 23/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 2N7002MTFCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002MTF | |
| 관련 링크 | 2N700, 2N7002MTF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | BD9355MWV-E2 | BD9355MWV-E2 ROHM QFN | BD9355MWV-E2.pdf | |
![]() | V9330 116 | V9330 116 N/A SMD or Through Hole | V9330 116.pdf | |
![]() | 1N5819HW-7- | 1N5819HW-7- DIODES SMD or Through Hole | 1N5819HW-7-.pdf | |
![]() | R2S-50V100MF1 | R2S-50V100MF1 ELNA DIP | R2S-50V100MF1.pdf | |
![]() | ICS4570BL | ICS4570BL ICS SOP-8 | ICS4570BL.pdf | |
![]() | CR1/8-100JV | CR1/8-100JV HOKURIKU SMD or Through Hole | CR1/8-100JV.pdf | |
![]() | IR30EPF10 | IR30EPF10 ir SMD or Through Hole | IR30EPF10.pdf |