창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002E Datasheet | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 250mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 350mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002E | |
관련 링크 | 2N70, 2N7002E 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 767163510GPTR13 | RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SOIC | 767163510GPTR13.pdf | |
![]() | 1608F-4R7K | 1608F-4R7K CN O603 | 1608F-4R7K.pdf | |
![]() | H3520 | H3520 HISILCON BGA | H3520.pdf | |
![]() | HD404829C47H | HD404829C47H HITACHI QFP | HD404829C47H.pdf | |
![]() | WS-DM256-I | WS-DM256-I WDVESDT BGA | WS-DM256-I.pdf | |
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![]() | SR3D | SR3D EIC SMD or Through Hole | SR3D.pdf | |
![]() | SAA7118HV1 | SAA7118HV1 NXP AYQFP | SAA7118HV1.pdf | |
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![]() | 2SD1648 | 2SD1648 SANYO SOT-23 | 2SD1648.pdf | |
![]() | 7W0200018(15PF | 7W0200018(15PF TXC SMD(57) | 7W0200018(15PF.pdf |