창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7002E Datasheet | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 250mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002E | |
| 관련 링크 | 2N70, 2N7002E 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 36N06E | 36N06E MOTOROLA SOT-263 | 36N06E.pdf | |
![]() | 82S62DC | 82S62DC NS DIP 14 | 82S62DC.pdf | |
![]() | PEEL18CV8S | PEEL18CV8S SIEMENS SOP | PEEL18CV8S.pdf | |
![]() | C2012X7R2A102MT | C2012X7R2A102MT TDK SMD or Through Hole | C2012X7R2A102MT.pdf | |
![]() | TC74HC10BP | TC74HC10BP TOS DIP | TC74HC10BP.pdf | |
![]() | LF442MJ | LF442MJ NS NULL | LF442MJ.pdf | |
![]() | EVB71101B-433-FSK-C | EVB71101B-433-FSK-C Melexis Onlyoriginal | EVB71101B-433-FSK-C.pdf | |
![]() | AP1084K(D) | AP1084K(D) DIODES SMD or Through Hole | AP1084K(D).pdf | |
![]() | PT8A3304LWE | PT8A3304LWE PT SOP8 | PT8A3304LWE.pdf | |
![]() | SLGA2 | SLGA2 INTEL BGA | SLGA2.pdf | |
![]() | ML6102C133MRG | ML6102C133MRG MDC SOT-23 | ML6102C133MRG.pdf |