창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002E-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002E Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 250mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.22nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 370mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2N7002E-7-F-ND 2N7002E7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002E-7-F | |
관련 링크 | 2N7002, 2N7002E-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AI-23-33E-40.000000E | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT8008AI-23-33E-40.000000E.pdf | |
![]() | IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | IXFN180N15P.pdf | |
![]() | PCD50953H/E82/3 | PCD50953H/E82/3 PHILIPS QFP | PCD50953H/E82/3.pdf | |
![]() | L4949ED013TR5 | L4949ED013TR5 ST so8 | L4949ED013TR5.pdf | |
![]() | SI3801DV-T1-01EN | SI3801DV-T1-01EN SI SOT-363 | SI3801DV-T1-01EN.pdf | |
![]() | PH3230,118 | PH3230,118 Philips SMD or Through Hole | PH3230,118.pdf | |
![]() | KY50VB470M | KY50VB470M ORIGINAL SMD or Through Hole | KY50VB470M.pdf | |
![]() | AATKD0202 | AATKD0202 INTEL DIP | AATKD0202.pdf | |
![]() | 15SUR-32S | 15SUR-32S JST SMD or Through Hole | 15SUR-32S.pdf | |
![]() | 88HF120M | 88HF120M IR SMD or Through Hole | 88HF120M.pdf | |
![]() | CTEP125HF-1R0M | CTEP125HF-1R0M CENTRAL SMD or Through Hole | CTEP125HF-1R0M.pdf |