창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002E-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7002E Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 250mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.22nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 370mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2N7002E-7-F-ND 2N7002E7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002E-7-F | |
| 관련 링크 | 2N7002, 2N7002E-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW1210649KBETA | RES SMD 649K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210649KBETA.pdf | |
![]() | H89K76BDA | RES 9.76K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H89K76BDA.pdf | |
![]() | 3507841 | 3507841 AMP/WSI SMD or Through Hole | 3507841.pdf | |
![]() | USR5638 | USR5638 ORIGINAL SMD or Through Hole | USR5638.pdf | |
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![]() | MJ3040 | MJ3040 MOT TO-3 | MJ3040.pdf | |
![]() | TDA61602X | TDA61602X sie SMD or Through Hole | TDA61602X.pdf |