홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » 2N7002DWQ-7-F

Diodes Incorporated 2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F
제조업체 부품 번호
2N7002DWQ-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
데이터 시트 다운로드
다운로드
2N7002DWQ-7-F 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 52.18837
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2N7002DWQ-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. 2N7002DWQ-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2N7002DWQ-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2N7002DWQ-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2N7002DWQ-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2N7002DWQ-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N7002DW Datasheet
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C230mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 50mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002DWQ-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N7002DWQ-7-F
관련 링크2N7002D, 2N7002DWQ-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
2N7002DWQ-7-F 의 관련 제품
RES SMD 9.1 OHM 5% 3/4W 2010 RMCF2010JT9R10.pdf
3SWO-14.31818MHZ MURATA SMD-DIP 3SWO-14.31818MHZ.pdf
7293 SANYO SMD or Through Hole 7293.pdf
BU941TF1 ST TO-220 BU941TF1.pdf
12CWQ150FN IR TO-252 12CWQ150FN.pdf
113CFKC520/IP MOT SOP28 113CFKC520/IP.pdf
H2KLO NO SMD or Through Hole H2KLO.pdf
MAX6640YAEE+ MAXIM QSOP-16 MAX6640YAEE+.pdf
RL2010JK-072K ORIGINAL SMD or Through Hole RL2010JK-072K.pdf
V4910ACH ORIGINAL SOJ V4910ACH.pdf
M25P40-VMN3PB/M25P40-VMN3TPB MICRON SOIC-8 M25P40-VMN3PB/M25P40-VMN3TPB.pdf