창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002DW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7002DW Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 IDSS Parameter Update 11/Mar/2015 | |
| PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2N7002DWTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002DW | |
| 관련 링크 | 2N70, 2N7002DW 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | CMF70182K00FKR6 | RES 182K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF70182K00FKR6.pdf | |
![]() | HVC306A13TRV | HVC306A13TRV HITACHI SMD or Through Hole | HVC306A13TRV.pdf | |
![]() | CS5504-AP | CS5504-AP CRYSTAL DIP | CS5504-AP.pdf | |
![]() | 899-1-R5.1K | 899-1-R5.1K BI DIP-14 | 899-1-R5.1K.pdf | |
![]() | CS130G20C-E0 | CS130G20C-E0 CML ROHS | CS130G20C-E0.pdf | |
![]() | FQPF7N90C | FQPF7N90C FSC TO220F | FQPF7N90C.pdf | |
![]() | SN54HC20/BCBJC | SN54HC20/BCBJC TEXAS CDIP | SN54HC20/BCBJC.pdf |