Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F

2N7002DW-7-F
제조업체 부품 번호
2N7002DW-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
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내부 부품 번호EIS-2N7002DW-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N7002DW Datasheet
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Green Encapsulate Change 09/July/2007
Bond Wire 16/Sept/2008
PCN 조립/원산지Plating Site Addition 29/Jul/2015
PCN 기타Multiple Device Changes 29/Apr/2013
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C230mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 50mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002DW-FDITR
2N7002DW7F
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2N7002DW-7-F
관련 링크2N7002D, 2N7002DW-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
2N7002DW-7-F 의 관련 제품
40MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40033IST.pdf
RES 33.2 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5533R200FKBF39.pdf
08053C683JAT2A 0805-683J AVX SMD or Through Hole 08053C683JAT2A 0805-683J.pdf
QFET-3000-TR1G AVALTL SOT343 QFET-3000-TR1G.pdf
2SK3911(Q) TOSHIBA SMD or Through Hole 2SK3911(Q).pdf
DS1225AD-150/IND DS SOPDIP DS1225AD-150/IND.pdf
KB834AB-M kingbright DIPSOP KB834AB-M.pdf
UPC339C=LM339 NEC DIP-14 UPC339C=LM339.pdf
SP2300SB Sensitron SMB SP2300SB.pdf
215R7LGA12H 9 ATI BGA 215R7LGA12H 9.pdf
EMJ88HOPL ORIGINAL SMD or Through Hole EMJ88HOPL.pdf