창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002BKW,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002BKW Datasheet | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 310mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 275mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2N7002BKW,115-ND 2N7002BKW115 568-5980-2 934064283115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002BKW,115 | |
관련 링크 | 2N7002B, 2N7002BKW,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
K561K15C0GH5UH5 | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K561K15C0GH5UH5.pdf | ||
AA0603FR-07137KL | RES SMD 137K OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-07137KL.pdf | ||
RT1206DRD07402RL | RES SMD 402 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07402RL.pdf | ||
PEL12D-4018F-S1024 | ENCODER | PEL12D-4018F-S1024.pdf | ||
V59C1256164QAF37 | V59C1256164QAF37 PROMOS FBGA-84 | V59C1256164QAF37.pdf | ||
SML-A12Y8TT86Q | SML-A12Y8TT86Q ROHM SMD or Through Hole | SML-A12Y8TT86Q.pdf | ||
DAP202K(P) | DAP202K(P) ROHM SMD or Through Hole | DAP202K(P).pdf | ||
10EP16DT | 10EP16DT MICREL SMD or Through Hole | 10EP16DT.pdf | ||
MB84VA2103A-10PB9845 | MB84VA2103A-10PB9845 FUJITSU SMD or Through Hole | MB84VA2103A-10PB9845.pdf | ||
PMIPM10P17 | PMIPM10P17 ORIGINAL c | PMIPM10P17.pdf | ||
MN45-053 | MN45-053 NDK NA | MN45-053.pdf | ||
SMD220-2018 | SMD220-2018 RAYCHEM SMD or Through Hole | SMD220-2018.pdf |