창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7000_D75Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7000/02, NDS7002A Datasheet | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 400mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 2N7000_D75Z-ND 2N7000_D75ZFSTB 2N7000_D75ZTB 2N7000_D75ZTB-ND 2N7000D75Z | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7000_D75Z | |
관련 링크 | 2N7000, 2N7000_D75Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CMSSH-3ETR | CMSSH-3ETR CENTRAL SOT-323 | CMSSH-3ETR.pdf | ||
BDV65AF | BDV65AF ST/SL/POWER TO-3P | BDV65AF.pdf | ||
1812 5% 120R | 1812 5% 120R SUPEROHM SMD or Through Hole | 1812 5% 120R.pdf | ||
SN104262DBTR | SN104262DBTR TI SMD or Through Hole | SN104262DBTR.pdf | ||
RL12V0 | RL12V0 AXICOM SMD or Through Hole | RL12V0.pdf | ||
CAT1320WI-30 | CAT1320WI-30 CAT Call | CAT1320WI-30.pdf | ||
FDN360P (ASTEC) | FDN360P (ASTEC) FCS SMD or Through Hole | FDN360P (ASTEC).pdf | ||
6R6D10A-120CHX | 6R6D10A-120CHX FUJI SMD or Through Hole | 6R6D10A-120CHX.pdf | ||
05Z10Y | 05Z10Y TOSHIBA SMD or Through Hole | 05Z10Y.pdf | ||
ADM241JRZ | ADM241JRZ AD SOP | ADM241JRZ.pdf | ||
OPA334PA | OPA334PA BB DIP8 | OPA334PA.pdf |