창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7000_D26Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7000/02, NDS7002A Datasheet | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 400mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 2N7000_D26Z-ND 2N7000_D26ZTR 2N7000D26Z | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7000_D26Z | |
관련 링크 | 2N7000, 2N7000_D26Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
ERZ-E11A112 | VARISTOR 1100V 5KA DISC 13MM | ERZ-E11A112.pdf | ||
IRFR3411TRPBF | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | IRFR3411TRPBF.pdf | ||
RSF200JB-73-820K | RES 820K OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-820K.pdf | ||
RSF12JT56R0 | RES MO 1/2W 56 OHM 5% AXIAL | RSF12JT56R0.pdf | ||
RS407LB | RS407LB VIS SIP | RS407LB.pdf | ||
R11110N30 | R11110N30 RICOH SOT23-6 | R11110N30.pdf | ||
TE28F004B3T90 | TE28F004B3T90 ORIGINAL TSOP40 | TE28F004B3T90.pdf | ||
BLM31AJ601SN1D | BLM31AJ601SN1D MURATA SMD or Through Hole | BLM31AJ601SN1D.pdf | ||
258-22B200 | 258-22B200 Tyco SMD or Through Hole | 258-22B200.pdf | ||
B19947A011 | B19947A011 SAGE PLCC28 | B19947A011.pdf | ||
FP202-TF | FP202-TF SANYO SMD or Through Hole | FP202-TF.pdf |