창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7000TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7000/02, NDS7002A Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 2N7000TA-ND 2N7000TATB 2N7000TATR 2N7000TATR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7000TA | |
| 관련 링크 | 2N70, 2N7000TA 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | SC1608F-1R5 | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 2.8A 50 mOhm Max Nonstandard | SC1608F-1R5.pdf | |
![]() | MBB02070C3162FRP00 | RES 31.6K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3162FRP00.pdf | |
![]() | MM1639 | MM1639 MITSUMI VSOP-16A | MM1639.pdf | |
![]() | CJ2302S-S2U | CJ2302S-S2U ORIGINAL SOT-23 | CJ2302S-S2U.pdf | |
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![]() | XS-P30 | XS-P30 XS SMD or Through Hole | XS-P30.pdf | |
![]() | DDTB142JU | DDTB142JU DIODES SOT-323 | DDTB142JU.pdf | |
![]() | AIV-501 | AIV-501 OUT DIP14P | AIV-501.pdf | |
![]() | TG-805M-101 | TG-805M-101 BURANS SMD or Through Hole | TG-805M-101.pdf | |
![]() | PHCA86X02012 | PHCA86X02012 FOXCONN SMD or Through Hole | PHCA86X02012.pdf | |
![]() | THGBM3G5D1FBAIEHGH | THGBM3G5D1FBAIEHGH TOS N A | THGBM3G5D1FBAIEHGH.pdf |