창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6770T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6764,66,68,70T1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-254-3, TO-254AA(직선 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-254AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6770T1 | |
| 관련 링크 | 2N67, 2N6770T1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1025-62H | 56µH Unshielded Molded Inductor 100mA 5.7 Ohm Max Axial | 1025-62H.pdf | |
![]() | TCET1102 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | TCET1102.pdf | |
![]() | CRG0805F6K8 | RES SMD 6.8K OHM 1% 1/8W 0805 | CRG0805F6K8.pdf | |
![]() | AT0402BRE0710KL | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRE0710KL.pdf | |
![]() | MBB02070D4351DC100 | RES 4.35K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D4351DC100.pdf | |
![]() | SG-LG03 | SG-LG03 ORIGINAL SMD or Through Hole | SG-LG03.pdf | |
![]() | P6NG-0509Z2:1LF | P6NG-0509Z2:1LF PEAK SIP | P6NG-0509Z2:1LF.pdf | |
![]() | AT24C04N-SC25 | AT24C04N-SC25 ATMEL SOP8 | AT24C04N-SC25.pdf | |
![]() | UAF9C25M | UAF9C25M ICS SOP-16 | UAF9C25M.pdf | |
![]() | SB06 | SB06 TOSHIBA SMD or Through Hole | SB06.pdf | |
![]() | QM100DY-12H | QM100DY-12H MITSUBISHI SMD or Through Hole | QM100DY-12H.pdf | |
![]() | BQ707 | BQ707 ORIGINAL QFN20 | BQ707.pdf |