창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6764T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6764,66,68,70T1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AE | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6764T1 | |
| 관련 링크 | 2N67, 2N6764T1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1808CC103KATME | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808CC103KATME.pdf | |
![]() | VJ2220Y154JBBAT4X | 0.15µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y154JBBAT4X.pdf | |
![]() | H50601DK | H50601DK FPE DIP-50 | H50601DK.pdf | |
![]() | NJM7915FA-#ZZZB | NJM7915FA-#ZZZB JRC SMD or Through Hole | NJM7915FA-#ZZZB.pdf | |
![]() | NRA0505S-1W | NRA0505S-1W BOSHIDA SIP | NRA0505S-1W.pdf | |
![]() | ZP-5LH | ZP-5LH MINI SMD or Through Hole | ZP-5LH.pdf | |
![]() | PE-53121 | PE-53121 Pulse DIP | PE-53121.pdf | |
![]() | IN44AK | IN44AK Unitrode TO-66 | IN44AK.pdf | |
![]() | AP1186T525L-U | AP1186T525L-U DiodesInc TO-220-5 | AP1186T525L-U.pdf | |
![]() | C85-200 | C85-200 FUJI TO-220 | C85-200.pdf | |
![]() | MT317BE | MT317BE MITEL DIP8 | MT317BE.pdf | |
![]() | PD5618A | PD5618A PIONEER QFP-100P | PD5618A.pdf |