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ON Semiconductor 2N6667G

2N6667G
제조업체 부품 번호
2N6667G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
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TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
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내부 부품 번호EIS-2N6667G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N6667,2N6668
PCN 설계/사양TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014
PCN 조립/원산지Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015
카탈로그 페이지 1556 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)10A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 100mA, 10A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1mA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 3V
전력 - 최대2W
주파수 - 트랜지션-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름2N6667GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N6667G
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